TMR

— 基於年產數十億顆晶片的TMR感測器量產平臺， 多維科技針對攝像頭自動對焦和光學影象防抖的全系列產品已為智慧手機市場批次供貨 加利福尼亞州聖塔克拉拉市和張家港2026年5月6日 /美通社/ — 在Sensors Converge 2026展會上，專業的隧道磁阻 （TMR） 磁感測器領先製造商 多維科技有限公司 （MultiDimension Technology Co.， Ltd.， MDT）日前宣佈,面向智慧手機攝像頭高精度光學影象防抖 （OIS） 應用的超小尺寸TMR線性感測器晶片 TMR2531 和 TMR2539 已為智慧手機市場批次供貨。 TMR2531 和 TMR2539 專為智慧手機攝像頭 OIS 設計，可在音圈馬達 （VCM） 模組中實現微米級的位移檢測，支援VCM驅動晶片精確補償相機抖動，以提升影像拍攝的穩定性。 兩款感測器晶片都由四個高信噪比的TMR敏感元件整合為單個惠斯通全橋結構，實現對Z方向垂直磁場強度的測量。 TMR2531和TMR2539系列產品的關鍵特性： 微米級OIS定位精度 TMR2531：±1000高斯線性測量範圍 TMR2539：±1500高斯線性測量範圍 抗水準磁場幹擾能力：有效遮蔽±3000高斯的水平幹擾磁場，以確保在強磁場幹擾的VCM環境中穩定工作 寬工作電壓範圍：1.0 V ~ 5.5 V 超小DFN4L封裝：0.8 × 0.5 × 0.25mm，支援空間緊湊的VCM設計 雖然霍爾效應感測器已廣泛用於手機攝像頭模組，隨著潛望鏡式長焦鏡頭在當今智慧手機中的日益普及，OIS系統的精度要求已隨之大幅提升至微米級，以確保在更大的防抖行程範圍內實現稜鏡的精確定位。 多維科技的TMR感測器技術具備卓越的信噪比、擴充套件的線性測量範圍和強大的抗磁場幹擾能力，為高階智慧手機攝像頭自動對焦 （AF） 和 OIS提供了堅實有力的技術升級方案。 TMR2531 和 TMR2539這兩款新品加入了 […]